2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、隨著雷達以及微波技術的發(fā)展,對中頻開關的性能提出了越來越高的要求,主要是在高隔離度,低損耗的前提下,提高開關速度.GaAs中頻開關具有開關速度快,損耗小,隔離度高,驅(qū)動功耗幾乎為零,體積小等特點,能夠滿足人們的要求.為了充分發(fā)揮GaAs開關的速度性能,提高GaAs微波開關的使用靈活性,以及與目前多數(shù)系統(tǒng)中的開關TTL控制電平相兼容,我們對TTL電平驅(qū)動器的GaAS中頻開關進行研究.該文詳細闡述了GaAs中頻開關的設計與研制過程.首先,在

2、深入了解MESFET的工作機理,分析討論了GaAs MESFET的工作原理并提出一種GaAs中頻開關電路的設計方法,進行了瞬態(tài)參數(shù)設計與分析.在這一系列研究工作基礎上,進行開關電路的拓撲設計,借助現(xiàn)代計算機技術,對電路進行了計算機輔助設計和優(yōu)化.同時,建立了GaAs MESFET器件大信號模型,用先進的PSPICE電路模擬程序?qū)λO計的電路進行瞬態(tài)分析和直流工作點分析,計算電路的速度性能;用EESOF公司的TOUCHSTN微波電路設計軟

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