Ⅲ-Ⅴ族半導體三元含磷化合物的MBE生長與拉曼光譜研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩73頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本文以“III-V族半導體三元含磷化合物的MBE生長與拉曼光譜研究”為研究方向，調研和探討了含磷化合物半導體器件的研究進展與應用。通過研究工藝參數等對InGaP/CraAs及InGotAs/InP異質外延的晶格匹配生長及表面形貌變化的影響，實現了材料的MBE優(yōu)化生長。利用拉曼光譜技術，對InGaP/CaAs及InCaAs/InP材料的穿透深度、內應力和有序度等進行了深入研究。主要研究內容及結果如下：
　　 ⑴采用MBE技術制備出

2、III-V族含磷三元化合物半導體外延材料，分析和討論了生長溫度、In/Ga比、V/III比等參數對材料失配度和表面形貌等相互影響的關系。得到InGaP/GaAs優(yōu)化的生長條件為：生長溫度為480℃，In/Ga束流比為1.57：1，V/III束流比為9：1。InCaAs/InP外延層的優(yōu)化生長條件為：生長溫度為460℃，In/Ga束流比為2.03：1，V/III束流比為9：1。
　　 ⑵兩種實驗材料體系具有不同的拉曼穿透深度。對I

3、nGaAs/InP完全匹配材料體系(In組分約為53％)，波長為514nm和632nm激發(fā)光對外延層的穿透深度分別為80nm和208nm，無法穿透厚度在300～400nm之間的實驗樣品外延層。對于InGaP/GaAs完全匹配材料體系(In組分約49％)，波長514nm和632nm的激發(fā)光都會穿透厚度在130nm～160nm之間的樣品外延層達到襯底。
　　 ⑶通過對InGaP/GaAs和InGaAs/IIIP材料的拉曼光譜研究，發(fā)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論