磷化鋅、硒化亞鐵低維納米材料的制備、表征及性能.pdf

1、隨著納米科學(xué)技術(shù)深入發(fā)展，低維納米材料的優(yōu)異性能和廣闊應(yīng)用前景引發(fā)了科學(xué)工作者的極大關(guān)注，特別是新型半導(dǎo)體納米材料將在光電、能源等領(lǐng)域具有廣闊前景。磷化鋅和硒化亞鐵在光電材料和鋰離子電池材料等方面具有潛在的巨大應(yīng)用價(jià)值，因而受到人們普遍重視。同時(shí)，研究如何通過簡(jiǎn)單的溶液法制備半導(dǎo)體納米材料，將為半導(dǎo)體納米材料工業(yè)化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。本文探討了在溶液中制備磷化鋅和硒化亞鐵納米材料的新路線，并采用一系列測(cè)試手段對(duì)磷化鋅、硒化亞鐵低維納米材料的制

2、備、結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。主要內(nèi)容和研究結(jié)果如下： 1.以紅磷、氯化鋅、硼氫化鈉為原料，采用溶劑熱法在200℃下制備了直徑約為60-150 nm、長數(shù)微米正方相磷化鋅(Zn3P2)納米線；乙二胺軟模板的存在促進(jìn)了Zn3P2的定向生長和納米線的形成。 2.制備的磷化鋅納米材料較塊體材料具有更豐富的發(fā)光譜帶，且存在明顯的藍(lán)移；單根磷化鋅納米線在室溫下用365nm紫外光照射時(shí)的光電導(dǎo)性能研究表明該材料的光電導(dǎo)響應(yīng)靈敏度為2

3、.75，有效衰退時(shí)間為1713 s。 3.以硒粉、草酸亞鐵為原料，采用溶劑熱法在180℃下制備了直徑約60-100nm、長約1μm的正交相硒化亞鐵納米棒；準(zhǔn)一維硒化亞鐵納米正極材料具有較高的首次放電容量445 mAh/g，鋰化前后容量衰減率分別為6.15％和2.73％。 4.以硒代亞硫酸鈉溶液、草酸亞鐵為原料，采用水熱法在170℃下制備了花狀正交相硒化亞鐵納米材料，納米花由厚度約為20-30 nm，直徑約100 nm納米