硒化鋅納米材料的制備及其光學、光電性質(zhì)的研究.pdf

1、本文選擇用金做催化劑CVD法分別制備了反應(yīng)時間為35min和50min的ZnSe納米帶，并對35min的產(chǎn)物在700℃Zn氛圍下進行退火處理，退火時間分別為20min、50min和75min。并對這些產(chǎn)物進行SEM、TEM和XRD結(jié)構(gòu)表征、成分分析、光學和光電性質(zhì)的測試。其主要結(jié)果歸納如下:
　　(1)反應(yīng)時間為35min的ZnSe納米帶TEM結(jié)構(gòu)表征結(jié)果顯示納米帶中邊沿區(qū)域存在晶界、堆積層錯和孿晶這些結(jié)構(gòu)缺陷。微區(qū)光譜和PL m

2、apping說明這些缺陷導(dǎo)致本征態(tài)發(fā)光強度很弱并伴隨著表面態(tài)峰的出現(xiàn)。這個表面態(tài)峰通過高斯擬合可以由三個峰組成，其波長分別為535nm、560nm和635nm。PL mapping還在空間分辨上顯示了結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)的關(guān)系，邊沿區(qū)域的缺陷多于中間區(qū)域。變功率光譜進一步證明這三個表面態(tài)的出現(xiàn)，也說明他們每個能級的性質(zhì)。定功率變溫光譜說明這三個能級的載流子在弛豫過程中存在一定的通道。通過XRD表征說明ZnSe是屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
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3、)反應(yīng)時間為50min的ZnSe納米帶的TEM結(jié)構(gòu)表征證明了缺陷的存在。表面光電壓測試和Kelvin測試也證明了納米帶缺陷的存在，這與表征結(jié)果相對應(yīng)。同時表面光電壓測試和Kelvin測試的接觸電勢差和表面功函判斷出此ZnSe是n型半導(dǎo)體。相圖表明光生電子向背光方向移動。
　　(3)退火75min后的產(chǎn)物經(jīng)TEM表征和成分分析知道產(chǎn)物中幾乎不存在缺陷，這說明在Zn氛圍下退火可以減少缺陷。同時證明缺陷最主要由于缺少Zn引起的。隨著退火