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1、ZnO是一種II-VI族直接寬帶隙半導(dǎo)體,有望取代GaN用于新一代的短波長(zhǎng)光電器件。近年來(lái)以ZnO為溝道層的透明薄膜晶體管引起人們廣泛的興趣,如何低成本、大面積地制作高質(zhì)量的ZnO薄膜層成為ZnO薄膜晶體管推廣應(yīng)用的關(guān)鍵。本文概述了ZnO的基本性質(zhì)及其在多種光電器件特別是薄膜晶體管方面的應(yīng)用,闡述了溶膠-凝膠法制備ZnO 薄膜的原理及研究現(xiàn)狀。 以二水合乙酸鋅、單乙醇胺和乙二醇甲醚為原料,采用溶膠-凝膠工藝,使用浸漬提拉和旋涂的
2、成膜方法分別在載玻片和硅襯底上制備了ZnO 薄膜,利用X 射線衍射儀、紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)、熒光分光光度計(jì)和橢圓偏振光儀對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和厚度進(jìn)行了表征。ZnO 薄膜結(jié)晶性質(zhì)優(yōu)異,具有強(qiáng)烈的c 軸擇優(yōu)取向,光致發(fā)光譜出現(xiàn)了一個(gè)強(qiáng)烈的近帶邊紫外發(fā)光峰、一個(gè)紫發(fā)光峰和一個(gè)弱的深能級(jí)藍(lán)綠發(fā)光峰。載玻片襯底上的ZnO 薄膜在可見(jiàn)光波段的透射率達(dá)75%,每提拉一次薄膜厚度大約增加60nm。 使用正交實(shí)驗(yàn)方法研究了溶膠濃度、陳化時(shí)
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