電子俘獲型光存儲材料的研究.pdf

1、電子俘獲型光存儲材料是一類新型光電子材料，在光存儲和紅外上轉(zhuǎn)換兩大方面具有重要的用途，作為光存儲材料，它具有存儲密度高、讀取速度快、可擦除多次重復(fù)寫入等優(yōu)點，作為紅外上轉(zhuǎn)換材料，它具有紅外響應(yīng)范圍寬、響應(yīng)閾值低等優(yōu)點。本文著重研究了材料的制備及其光激勵發(fā)光性能，探討其在光存儲技術(shù)中的應(yīng)用。分別采用碳粉氣氛還原法和碳粉直接還原法制備了稀土摻雜的三種不同基質(zhì)的電子俘獲材料(CaS、SrS、CaSrS)。比較了兩種方法的優(yōu)越性，研究了各種材料

2、的結(jié)構(gòu)和光譜特性。 研究表明，碳粉直接還原法明顯優(yōu)于碳粉氣氛還原法，碳粉直接還原法工藝過程簡單，對環(huán)境和設(shè)備沒有污染，制備的樣品粒度均勻且較細，不需要進行研磨即可以應(yīng)用，而且其發(fā)光性能優(yōu)于采用碳粉氣氛還原法制備的樣品。 用XRD、SEM、熒光光譜儀、熱釋光譜儀等對材料的結(jié)構(gòu)和性能進行了研究，結(jié)果表明，摻雜不同稀土離子的CaS,SrS,CaSrS材料均屬于面心立方晶體，其晶格常數(shù)分別為，5.694A、6.007A、5.85

3、3A；樣品的激發(fā)光譜位于紫外至可見光區(qū)，表明紫外光和可見光均可激發(fā)樣品；熒光發(fā)光光譜主要由Sm3+的三組窄帶發(fā)射組成；樣品在紅外光激發(fā)下的光激勵發(fā)光光譜是峰值分別位于635nm、595nm和619nm的寬帶譜，是Eu2+的寬帶發(fā)射；光激勵發(fā)光衰減均較快；CaS:Eu,Sm的熱釋光譜峰值為420℃，而SrS:Eu,Sm和CaSrS:Eu,Sm在儀器量程范圍內(nèi)(20～500℃)沒有觀察到熱釋發(fā)光峰。 同時還研究了灼燒溫度、灼燒時間、