氮化銅薄膜的光存儲(chǔ)應(yīng)用研究.pdf

1、氮化銅薄膜是一種亞穩(wěn)態(tài)的半導(dǎo)體材料，它是以共價(jià)鍵結(jié)合的，它的晶體是反三氧化錸型簡(jiǎn)立方的結(jié)構(gòu)，氮化銅薄膜還具有較好的光電性能，它具有低溫?zé)岱纸獾奶匦?、較高的電阻率、無毒且原材料的價(jià)格便宜,在常溫下的空氣中很穩(wěn)定的特點(diǎn)，這使它成為近年來微電子半導(dǎo)體和光存儲(chǔ)等領(lǐng)域中新型的應(yīng)用材料。光存儲(chǔ)是受到光存儲(chǔ)器的表面介質(zhì)影響的，在光存儲(chǔ)器上面有許多凹凸不平的小坑，當(dāng)光照射到上面會(huì)出現(xiàn)不同的反射，計(jì)算機(jī)接收后轉(zhuǎn)化為0和1的二進(jìn)制信號(hào)就是光存儲(chǔ)的原理。因此

2、，針對(duì)氮化銅薄膜的這些特性進(jìn)行光存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、制備及性能研究是非常有意義的。
　　本文首先對(duì)基于氮化銅薄膜的光存儲(chǔ)器的進(jìn)行了設(shè)計(jì)，它們分別是基于氮化銅薄膜的一次寫入型光盤、基于氮化銅薄膜的一次寫入型雙面光盤和基于氮化銅薄膜的一次寫入型。然后，研究了它們利用磁控濺射的方法進(jìn)行制備的具體過程。最后，對(duì)基于氮化銅薄膜的一次寫入型光盤的樣品進(jìn)行了記錄數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)的性能研究，對(duì)記錄數(shù)據(jù)前后的光存儲(chǔ)器進(jìn)行了記錄信息前后X射線衍射譜(XRD)