SiO-,2-和Si-,3-N-,4-薄膜的PECVD沉積及在半導(dǎo)體光電子器件中的應(yīng)用研究.pdf

1、本論文工作是圍繞任曉敏教授任首席科學(xué)家的國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項(xiàng)目（973計(jì)劃項(xiàng)目，項(xiàng)目編號(hào)：2010CB327600）“新型光電子器件中的異質(zhì)兼容集成與功能微結(jié)構(gòu)體系基礎(chǔ)研究”、教育部“長江學(xué)者和創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)發(fā)展計(jì)劃”資助（N0.IRT0609）、“高等學(xué)校學(xué)科創(chuàng)新引智計(jì)劃”（簡稱“111計(jì)劃”）（項(xiàng)目編號(hào)：B07005）第二批建設(shè)項(xiàng)目而展開的。
　　 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜是物理和化學(xué)性能十分優(yōu)良的功能材料，在半導(dǎo)體光電子器

2、件中有著廣泛的應(yīng)用。氮化硅和二氧化硅薄膜通常利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition PECVD）來制備。PECVD法具有沉積溫度低，沉積速率快，薄膜致密，工藝重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。本論文對使用PECVD方法沉積薄膜進(jìn)行了深入研究，總結(jié)了沉積工藝參數(shù)對沉積薄膜性能的影響，系統(tǒng)研究了氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜在半導(dǎo)體光電子器件中的應(yīng)用，并且系統(tǒng)研究了使用HQ—3型PECVD設(shè)

3、備沉積氮化硅和二氧化硅薄膜的工藝條件。以下是論文的主要工作。
　　 1.使用新型HQ—3型PECVD設(shè)備在單面拋光硅片（100）襯底上沉積了一系列氮化硅以及二氧化硅薄膜樣品，在實(shí)驗(yàn)過程中系統(tǒng)地改變了沉積的工藝參數(shù)（例如沉積溫度，射頻功率，沉積時(shí)間以及反應(yīng)氣體流量配比等）。
　　 2.對實(shí)驗(yàn)所得的氮化硅薄膜樣品進(jìn)行厚度和折射率的測試，根據(jù)測試結(jié)果討論了上述工藝參數(shù)對氮化硅薄膜的性能（如薄膜厚度以及折射率）的影響，最終通過優(yōu)