CMOS圖像傳感器片上處理電路研究.pdf

1、CMOS圖像傳感器產(chǎn)生于二十世紀(jì)六十年代末，與CCD圖像傳感器的研究幾乎同時(shí)起步，但由于受當(dāng)時(shí)工藝水平的限制，在成像質(zhì)量上不能和CCD圖像傳感器相比擬，因此傳感器市場(chǎng)的主導(dǎo)地位一直為CCD圖像傳感器所占據(jù)。直到二十世紀(jì)九十年代，低噪聲CMOS APS的出現(xiàn)，使得CMOS傳感器的性能大大提高，成為了圖像傳感器市場(chǎng)研究開發(fā)的熱點(diǎn)。
　　 但是，與CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器的成像水平仍有待提高，噪聲仍然是限制CMOS圖像

2、傳感器質(zhì)量的重要因素，噪聲問題是目前CMOS圖像傳感器研發(fā)過程中的主要課題之一。隨著CMOS圖像傳感器的集成度和速度的不斷提高，噪聲抑制電路的研究對(duì)CMOS圖像傳感器性能的提高起著更為重要的作用。本課題設(shè)計(jì)了一種基于空間應(yīng)用的CMOS圖像傳感器芯片COERL2010，采用3T像元結(jié)構(gòu)，尺寸15×15μm2，64dB動(dòng)態(tài)范圍，47eKTC噪聲，頻譜范圍400-1000nm。
　　 本文結(jié)構(gòu)，緒論部分介紹了CMOS圖像傳感器背景與選

3、題意義，第二章簡(jiǎn)單分析了CMOS圖像傳感器的基本原理和關(guān)鍵技術(shù)，第三章對(duì)中前級(jí)電路進(jìn)行了詳細(xì)設(shè)計(jì)和仿真，第四章重點(diǎn)簡(jiǎn)紹內(nèi)插式ADC電路的設(shè)計(jì)，最后進(jìn)行了版圖設(shè)計(jì)和結(jié)論分析。
　　 本文創(chuàng)新點(diǎn)：
　　 1.改進(jìn)型的雙采樣電路結(jié)構(gòu)，利用雙采樣而并非相關(guān)雙采樣(CDS)的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)可以完全消除由于器件失配所引起了固定模式噪聲，并能較大程度上抑制其他噪聲。
　　 2.利用簡(jiǎn)單的電容陣列編碼方式實(shí)現(xiàn)×1、×2、×4、×8倍增