氧化鎳納米晶的合成及其在光電器件中的應(yīng)用.pdf

1、溶液工藝的光電器件具有工藝簡(jiǎn)單、可大規(guī)模生產(chǎn)、重復(fù)性好、環(huán)境穩(wěn)定性好、可在柔性襯底上加工等優(yōu)點(diǎn)。溶液法合成的NiO和ITO納米晶晶體質(zhì)量高、單分散性好，可用于溶液工藝制備的光電器件。本文主要研究?jī)?nèi)容如下:
　　1.采用溶液法合成純相、單分散性好的NiO納米晶。通過(guò)在Ni(St)2的醇解和胺解的反應(yīng)體系中加入LiSt，有效阻止了NiO納米晶的還原，得到尺寸2-5 nm的NiO納米晶;LiSt在醇和油胺溶液中穩(wěn)定存在，當(dāng)Ni(St)2

2、反應(yīng)生成NiO納米晶后，LiSt鏈接到NiO納米晶表面，由于LiSt反應(yīng)活性低，降低了NiO納米晶的反應(yīng)活性，使NiO納米晶不被還原，LiSt做為保護(hù)配體有效阻止NiO納米晶的還原;NaSt具有同LiSt相似性質(zhì)，也可有效抑制NiO納米晶的還原;在Cu(acac)2胺解體系中，LiSt也可有效抑制Cu2O的還原。
　　2.采用旋涂法溶液工藝制備NiO薄膜，并將薄膜熱處理后應(yīng)用于有機(jī)太陽(yáng)能電池和高分子聚合物發(fā)光二極管做空穴傳輸層。旋

3、涂法得到NiO薄膜透過(guò)率在90％以上，表面均方根粗糙度為3.6 nm，有較高的功函數(shù)5.2±0.1 eV;相比于PEDOT∶ PSS基有機(jī)太陽(yáng)能電池，NiO基器件有更大的短路電流、填充因子、外量子效率和光電轉(zhuǎn)換效率，能量轉(zhuǎn)換效率(PCE)達(dá)到6.3％，高于PEDOT∶ PSS基器件的5.2％，有22％的提升;NiO基高分子聚合物二極管也具有更大的外量子效率和光亮度，最大光亮度13500 cd/m2，并可制備柔性器件。
　　3、采用

4、熱注入法合成高質(zhì)量、單分散性好的ITO納米晶，納米晶尺寸為11.4±1.1nm。FTIR分析表明，在反應(yīng)過(guò)程中，2-乙基己酸和醋酸銦置換反應(yīng)生成活性較低的2-乙基己酸銦，2-乙基己酸銦和2-乙基己酸亞錫胺解生成ITO納米晶;多次熱注入合成高質(zhì)量的大尺寸ITO納米晶，尺寸增大的同時(shí)，LSPR峰位基本保持不變;調(diào)節(jié)Sn摻雜濃度從3％到30％，ITO納米晶的LSPR峰位從2100 nm藍(lán)移到1680 nm，再紅移到1930 nm，在10％ S