2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
已閱讀1頁，還剩69頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、應變SiGe和應變Si以其相對于體Si的諸多優(yōu)點,成為遵循摩爾定律發(fā)展的新材料技術。由于SiGe與襯底之間存在較大的晶格失配,所以異質外延得到的薄膜往往具有很高的位錯密度,這些位錯極大地限制了器件的性能和可靠性。為了更好的降低和控制穿透位錯密度,對硅基應變與弛豫材料缺陷機理及表征方法的研究顯得尤為重要。
　　 論文深入研究了硅基應變與弛豫材料中各種缺陷機理,重點對其中位錯缺陷的類型、形成機理、特征、行為、成核及增殖機制進行了研究

2、,同時還對缺陷的觀察及位錯密度的表征方法進行了重點研究。
　　 本文中硅基應變與弛豫材料由RPCVD設備生長,使用透射電子顯微鏡對材料內部的缺陷及行為進行研究分析,通過腐蝕法對位錯密度進行表征研究。實驗結果表明,Ge組分梯度漸變緩沖層工藝和低溫Si緩沖層工藝能大大降低穿透位錯的密度。
　　 通過改變腐蝕液配方及腐蝕時間等實驗對表征方法進行了研究,提出了使用梯度腐蝕法測量位錯密度。通過使用梯度腐蝕法,可以在同一個樣片上進行

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論