硅基應(yīng)變與弛豫材料的缺陷機(jī)理與表征研究.pdf

1、應(yīng)變SiGe和應(yīng)變Si以其相對(duì)于體Si的諸多優(yōu)點(diǎn),成為遵循摩爾定律發(fā)展的新材料技術(shù)。由于SiGe與襯底之間存在較大的晶格失配,所以異質(zhì)外延得到的薄膜往往具有很高的位錯(cuò)密度,這些位錯(cuò)極大地限制了器件的性能和可靠性。為了更好的降低和控制穿透位錯(cuò)密度,對(duì)硅基應(yīng)變與弛豫材料缺陷機(jī)理及表征方法的研究顯得尤為重要。
　　 論文深入研究了硅基應(yīng)變與弛豫材料中各種缺陷機(jī)理,重點(diǎn)對(duì)其中位錯(cuò)缺陷的類型、形成機(jī)理、特征、行為、成核及增殖機(jī)制進(jìn)行了研究

2、,同時(shí)還對(duì)缺陷的觀察及位錯(cuò)密度的表征方法進(jìn)行了重點(diǎn)研究。
　　 本文中硅基應(yīng)變與弛豫材料由RPCVD設(shè)備生長,使用透射電子顯微鏡對(duì)材料內(nèi)部的缺陷及行為進(jìn)行研究分析,通過腐蝕法對(duì)位錯(cuò)密度進(jìn)行表征研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Ge組分梯度漸變緩沖層工藝和低溫Si緩沖層工藝能大大降低穿透位錯(cuò)的密度。
　　 通過改變腐蝕液配方及腐蝕時(shí)間等實(shí)驗(yàn)對(duì)表征方法進(jìn)行了研究,提出了使用梯度腐蝕法測(cè)量位錯(cuò)密度。通過使用梯度腐蝕法,可以在同一個(gè)樣片上進(jìn)行