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1、介電材料在半導(dǎo)體器件中有兩個最重要的應(yīng)用。一是作為場效應(yīng)晶體管器件的柵介質(zhì)層:二是作為動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容的介質(zhì)材料。CaCu3Ti4O12(CCTO)材料自其介電性質(zhì)被發(fā)現(xiàn)以來,由于其介電常數(shù)非常高,對溫度變化不敏感的特點,受到人們的廣泛關(guān)注,無論是靶材還是薄膜材料都具有超高的介電常數(shù),且在較大的溫度變化范圍內(nèi)介電常數(shù)都保持穩(wěn)定。目前的研究工作主要集中在CCTO高介電常數(shù)的成因,是“本質(zhì)”的還是“非本質(zhì)”的。
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