以35微米銅箔作載體支撐的可剝離超薄銅箔的研究.pdf

1、隨著電子產(chǎn)品向輕、薄、短、小、多功能化及高附加值方向的發(fā)展,要求銅箔的厚度越來(lái)越薄,超薄銅箔將成為今后電解銅箔發(fā)展的方向。本文針對(duì)超薄銅箔行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)為國(guó)外銅箔企業(yè)所壟斷,國(guó)內(nèi)銅箔生產(chǎn)企業(yè)工藝水平和設(shè)備制造能力還不是很完善的現(xiàn)狀,以載體支撐超薄銅箔制備工藝為研究對(duì)象,提出以有機(jī)層和合金層作為剝離層,然后在其上電沉積超薄銅箔層的工藝流程,從而形成一套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的載體支撐超薄銅箔制備新工藝。
　　本文用SEM方法研究了具有最佳

2、表面形態(tài)的超薄銅箔形成的電流密度、電沉積時(shí)間、添加劑用量及攪拌方式;研究了剝離層形成過(guò)程中不同有機(jī)層、不同合金及合金組成、電流密度、電沉積時(shí)間及溫度對(duì)超薄銅箔剝離性的影響;研究了合金液中不同稀土及不同稀土含量對(duì)超薄銅箔剝離強(qiáng)度的改性作用;用電化學(xué)工作站分析了稀土合金層的電化學(xué)性能。
　　研究結(jié)果表明:①小于5μm超薄銅箔層形成的最佳工藝條件為:選擇在載體亮面沉銅,電流密度為15A·dm-2,沉銅時(shí)間為6s,溶液溫度為45～50℃,

3、攪拌方式采用超聲波攪拌,添加劑加入量為主光亮劑0.03ml·L-1,次光亮劑0.06ml·L-1。②在剝離層的形成中,最佳有機(jī)層為5g·L-1的苯并三氮唑(BTA),浸漬時(shí)間為30s;最佳合金組成為H-G合金,電沉積合金層時(shí)電流密度為15A·dm-2,溫度為45～50℃,電沉積時(shí)間為6s,pH為5.5～6.0,此條件下所得的載體超薄銅箔均可剝離。③稀土元素使載體超薄銅箔的剝離強(qiáng)度均得了到一定程度的提高,且銅箔表面晶粒進(jìn)一步細(xì)化。La、S