不同摻鈥量Ho-LiNbO3晶體結(jié)構(gòu)與性能.pdf

1、采用提拉法生長(zhǎng)出無宏觀缺陷、光學(xué)質(zhì)量較好的不同摻鈥量的單晶體Ho:LiNbO3,研究總結(jié)出了最佳生長(zhǎng)工藝參數(shù)。測(cè)試了晶體的紅外吸收光譜和紫外可見吸收光譜,分析了Ho3+摻雜濃度對(duì)OH-吸收峰位峰位的影響,從而解釋了Ho3+在LiNbO3中的占位規(guī)律,結(jié)果表明Ho3+占據(jù)反位鈮的位置。測(cè)試了晶體(300)面的X射線衍射,分析了Ho3+摻雜濃度對(duì)衍射峰半高寬的影響,從而得知晶體結(jié)晶質(zhì)量隨Ho3+摻雜濃度的升高而降低。用250nm光激發(fā),測(cè)試

2、了晶體的熒光光譜,用620nm光激發(fā)測(cè)試了晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光光譜。分析了Ho3+摻雜濃度對(duì)發(fā)光峰位和強(qiáng)度的影響,解釋了上轉(zhuǎn)換機(jī)制,即為激發(fā)態(tài)再吸收過程。根據(jù)Ho3+能級(jí)圖對(duì)Ho3+的紫外可見吸收峰對(duì)應(yīng)的躍遷光譜項(xiàng)進(jìn)行了解釋,利用Judd-Ofelt理論計(jì)算出Ho3+在LiNbO3中的強(qiáng)度參數(shù)、自發(fā)輻射幾率、能級(jí)壽命、熒光分支比等光譜參數(shù),指出了易于實(shí)現(xiàn)激光發(fā)射的躍遷。分析了Ho3+摻雜濃度對(duì)光譜參數(shù)大小的影響,最終表明自發(fā)輻射幾率和能級(jí)壽