鎂鐿鈥三摻鈮酸鋰晶體的制備和光學(xué)性能的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本論文采用提拉法生長(zhǎng)了四種相同Yb3+(1mol％)離子、Ho3+(1mol%)離子摻雜濃度和不同Mg2+離子(1，3，5和7mol%)摻雜濃度的Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體,并研究了不同的Mg2+離子摻雜濃度對(duì)Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體的本征缺陷、摻雜離子在晶體中的占位以及對(duì)晶體的抗光損傷性能的影響。
　　通過電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-AES)獲得Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體的成分含量，結(jié)果表明Mg2+

2、離子的摻雜濃度影響了Yb3+和Ho3+離子在晶體中的占位。通過紅外透射光譜分析了Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體的缺陷結(jié)構(gòu)并且確定了Mg2+離子的占位情況。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果得出如下結(jié)論：當(dāng)Mg2+離子的摻雜濃度未達(dá)到其在Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體中的閾值濃度(4.6mol%)時(shí)，Mg2+離子取代反位鈮形成+LiMg；當(dāng)Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體中摻雜Mg2+離子的濃度達(dá)到閾值濃度以上(含閾值)，那么反位鈮將完全被Mg2+離

3、子所取代，Mg2+開始占據(jù)正常晶格中的Li位和Nb位形成3-+NbLiMg-3Mg，從而達(dá)到電荷平衡。XRD測(cè)試結(jié)果表明，Mg2+離子在低濃度摻雜時(shí)，它以取代反位鈮的形式進(jìn)入晶體，超過閾值濃度后，Mg2+進(jìn)入正常晶格中的Li位和Nb位，并影響Yb3+和Ho3+離子的占位。
　　采用雙折射梯度法測(cè)試了Mg:Yb:Ho:LiNbO3晶體的光學(xué)均勻性，結(jié)果表明：Mg2+離子的摻雜濃度越高，晶體的光學(xué)均勻性越好。通過光斑畸變法和光致光散射

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