高壓陽(yáng)極鋁箔退火對(duì)織構(gòu)的影響及腐蝕擴(kuò)面工藝研究.pdf

1、高靜電容量的鋁電解電容器,是目前廣泛應(yīng)用于電子元件的電容器之一,其靜電容量的大小主要由陽(yáng)極鋁箔的電容大小決定,當(dāng)前主要是通過(guò)提高高壓陽(yáng)極鋁箔表面積來(lái)增加電容。提高陽(yáng)極鋁箔立方織構(gòu)含量,改善組織結(jié)構(gòu)是獲得高比電容的前提條件。優(yōu)化腐蝕工藝,擴(kuò)大陽(yáng)極箔表面積,高壓箔比電容會(huì)大幅度提高。本論文主要是通過(guò)對(duì)中間退火工藝和成品再結(jié)晶退火工藝的研究,提高高壓箔立方織構(gòu)含量；通過(guò)研究直流腐蝕發(fā)孔和擴(kuò)孔,獲得高擴(kuò)面倍率的腐蝕箔。為完全實(shí)現(xiàn)高壓箔的國(guó)產(chǎn)化提

2、供理論和技術(shù)支持。
　　 采用光學(xué)顯微鏡(OM)、X射線衍射(XRD)、背散射電子衍射(EBSD)、掃描電子顯微鏡(SEM),交流阻抗譜(EIS)等分析測(cè)試手段,系統(tǒng)研究了高壓箔在退火過(guò)程中組織和織構(gòu)的演變,及退火工藝對(duì)性能的影響,優(yōu)化了鋁箔退火工藝；研究了腐蝕條件對(duì)高壓箔腐蝕性能的影響,獲得了適合高壓箔直流腐蝕的實(shí)驗(yàn)參數(shù)。
　　 實(shí)驗(yàn)表明,冷軋板中間退火時(shí),隨退火溫度的升高,平均晶粒變大,再結(jié)晶速率增加。冷軋板在350

3、℃／2h退火后立方織構(gòu)占有量為20％,組織均勻,變形抗力低,是較合適的中間退火參數(shù)。冷軋箔初始織構(gòu)為S、銅織構(gòu)和約10％的立方織構(gòu)時(shí),最終再結(jié)晶退火后能得到高強(qiáng)度的立方織構(gòu)。
　　 研究表明,冷軋箔成品再結(jié)晶退火立方織構(gòu)含量與退火溫度、加熱時(shí)間和退火方式有關(guān)。延長(zhǎng)退火時(shí)間,提高退火溫度,都有利于立方織構(gòu)的提高。240℃／1h+540℃／1h退火時(shí),立方織構(gòu)能達(dá)到97％以上,同時(shí)力學(xué)和腐蝕性能也滿足要求。
　　 討論了立方

4、織構(gòu)演變過(guò)程和形成機(jī)理,認(rèn)為立方織構(gòu)是在不連續(xù)再結(jié)晶過(guò)程中由S和銅型織構(gòu)演變而來(lái)。立方織構(gòu)形成是定向形核和擇優(yōu)生長(zhǎng)的綜合結(jié)果。
　　 腐蝕發(fā)孔實(shí)驗(yàn)表明:溫度對(duì)電容影響最大,H2SO4濃度和腐蝕時(shí)間影響次之,電流密度影響最小。較好的發(fā)孔工藝參數(shù)為:腐蝕液1mol／LHCl+2mol／LH2SO4,溫度80℃,電流密度0.6A／cm2,時(shí)間60s。
　　 腐蝕擴(kuò)孔實(shí)驗(yàn)表明:腐蝕液中Al3+濃度主要影響蝕孔密度,對(duì)腐蝕表面積影