基于新型氨基硫醇單體的高選擇性Hg(Ⅱ)印記聚合物的合成、表征和分析應(yīng)用.pdf_第1頁(yè)
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1、分子印跡是通過制備對(duì)特定目標(biāo)分子或離子即模板分子(印跡分子)具有特異預(yù)定選擇性的聚合物來選擇性吸附/富集目標(biāo)分子或離子的技術(shù)。此聚合物通過印跡模板分子或離子在高分子基質(zhì)中創(chuàng)造識(shí)別位點(diǎn)。除去模板分子后,模板分子的尺寸、立體結(jié)構(gòu)和與模板分子相互作用的功能基團(tuán)空間位置保留于高分子基質(zhì)中。絡(luò)合、共聚和聚合后移除模板分子是制作離子印跡共聚物的主要步驟。正確選擇對(duì)模板離子具有高親和性的功能單體非常重要,直接影響其選擇性。
   由于汞表現(xiàn)出

2、對(duì)硫具有非常高的親和力,因此含巰基的功能單體與汞能夠產(chǎn)生具有良好穩(wěn)定性的復(fù)合物。
   本論文的目的是采用2-巰基乙胺(MEA)合成對(duì)Hg(Ⅱ)具有高親合性的新印跡聚合物,并對(duì)其進(jìn)行表征和分析應(yīng)用的研究。新研究的與汞離子絡(luò)合的配位單體無市售,第一次在本實(shí)驗(yàn)室合成。MEA是最簡(jiǎn)單穩(wěn)定的氨基硫醇化合物,功能基團(tuán)NH2和SH在其兩端。MEA通過氨基基團(tuán)的甲基丙烯酸化合成新聚合物配體N-甲基丙烯?;?2-巰基乙胺(MMEA)。MMEA通

3、過形成Hg-S鍵用于絡(luò)合Hg(Ⅱ)。合成的復(fù)雜單基體通過自由基共聚合作用合成聚合物,甲基丙烯酸(MAA)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)和AIBN在致孔劑DMSO和苯存在條件下分別作為功能單體、交聯(lián)劑和引發(fā)劑。在從合成的共聚物中移除Hg(Ⅱ)后所得的印跡聚合物對(duì)Hg(Ⅱ)相比較其他的競(jìng)爭(zhēng)離子如Cd(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)、CH3HgCl和非印跡的聚合物等展現(xiàn)了很好的吸附容量和選擇性。Hg印跡的聚合物也用于測(cè)定復(fù)雜基質(zhì)如自來水和海水中的Hg(

4、Ⅱ)。
   第一章綜述了關(guān)于分子印跡和與研究相關(guān)的一些問題。第二章報(bào)告了有關(guān)N-甲基丙烯?;?2-巰基乙胺單基體(MMEA)和Hg(Ⅱ)-N-甲基丙烯?;?2-巰基乙胺復(fù)合單基體(Hg(Ⅱ)-MMEA)的實(shí)驗(yàn)合成過程及Hg(Ⅱ)印跡聚合物的制作方法。此章也包括合成材料的光譜數(shù)據(jù)和對(duì)所得結(jié)果的討論。第三章描述制得的Hg(Ⅱ)印跡共聚物在吸附容量,pH值和動(dòng)力學(xué)吸附和選擇性參數(shù)的特性,并進(jìn)行討論。第四章對(duì)Hg(Ⅱ)印跡共聚物在自來

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