含硅、鍺類(lèi)半導(dǎo)體材料制備過(guò)程中若干重要反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)研究.pdf

1、眾所周知,半導(dǎo)體材料具有許多金屬導(dǎo)體材料所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn),已被廣泛應(yīng)用于航天、航空、電子等諸多領(lǐng)域.硅烷、鍺烷及各種取代硅烷、取代鍺烷是制備含硅、鍺類(lèi)半導(dǎo)體材料的重要原材料.研究它們與各種自由基的雙分子反應(yīng)及它們的單分子熱解反應(yīng)的機(jī)理及動(dòng)力學(xué)性質(zhì),對(duì)了解半導(dǎo)體材料的制備過(guò)程具有重要的意義.該文用高水平從頭算及變分過(guò)渡態(tài)理論加小曲率隧道效應(yīng)校正,對(duì)含硅、鍺類(lèi)材料合成中的一些重要反應(yīng)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究.主要包括以下四類(lèi):H原子與SiH<,(4

2、-n)>X<,n>(X=F、Cl)及GeH<,(4-n)X<,n>(X=CH<,3>、F、Cl)的反應(yīng);O('3>P)原子與(CH<,3>)<,2>SiH<,2>、(CH<,3>)<,3>SiH、SiH<,2>Cl<,2>及Si<,2>H<,6>的反應(yīng);Ge<,2>H<,6>及Si<,2>H<,6>與H原子的反應(yīng);H<,3>GeOH及H<,3>SiOH的熱解.論文中對(duì)每一個(gè)反應(yīng)的機(jī)理作了詳細(xì)的闡明,并用變分過(guò)渡態(tài)理論深入地研究了動(dòng)力學(xué)性