塊狀半導體材料制備過程的理論和實驗研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文針對物理氣相輸運方法（PVT）制備SiC單晶以及機械合金化結合等離子體燒結（MA-PAS）的方法制備摻入S元素的Bi2Te3-基熱電材料這兩個比較典型的大塊狀半導體材料的制備過程分別進行了數值模擬與實驗研究。
　　作為第三代半導體材料的典型代表，SiC由于其優(yōu)良的理化性質而被廣泛運用在高溫度、強輻射、高電壓、高電流密度的極端條件下的半導體器件中。PVT法是生產大塊狀 SiC單晶最常用的一種方法，因為在 PVT生長 SiC單晶的

2、過程中，裝置是完全封閉的，我們很難實時的檢測生長腔內的溫度，物質濃度等相關物理量的變化，所以有必要運用數值模擬的方法來對該過程預先做出數值模擬研究以指導實際的生產過程。通過研究我們發(fā)現生長腔內軸向上的溫度梯度、操作壓力、籽晶表面溫度等工藝參數對于晶體生長速率具有重要的影響，具體說來，隨著生長腔內溫度梯度的增加，壓力的降低或者是生長溫度的升高，SiC的晶體生長速度加快。
　　Bi2Te3系熱電材料因其在室溫下良好的熱電性能而被廣泛運

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