基于大功率晶體管背面金屬化濺射工藝的設(shè)計.pdf

1、大功率晶體管背面電極的制備方法一般為濺射和蒸發(fā)兩種方法,蒸發(fā)沉積薄膜具有簡單便利、操作容易、成膜速度快、效率高等特點,是薄膜制備中最為廣泛使用的技術(shù)。這一技術(shù)的缺點是形成的薄膜與基片的結(jié)合較差,工藝重復性不好。與蒸發(fā)技術(shù)相比較,濺射發(fā)展較晚,但是濺射有薄膜與基片結(jié)合性好、薄膜純度高、致密性好等優(yōu)點,因此濺射鍍膜逐漸替代蒸發(fā)鍍膜被廣發(fā)應(yīng)用。但是它也有基片會受等離子體的輻照而升溫、濺射速率低等缺點。尤其是在制備大功率晶體管多層金屬電極時,如

2、果濺射過程中某些工藝參數(shù)控制不當,會出現(xiàn)金屬間的分層、貼片后空洞大、金屬層厚度不夠等問題,導致功率晶體管在使用過程中可靠性變差。本論文正是針對上述問題,以大功率晶體管背面金屬化為主要研究對象,研究了濺射過程工藝參數(shù)對晶體管背面金屬化及性能的影響,并從理論上分析了產(chǎn)生這些影響的原因。主要內(nèi)容如下:1、詳細研究了氬氣流量對膜層厚度及粘片空洞的影響,分析了空洞形成的原因,結(jié)果顯示氬氣流量大會導致空洞率大。2、詳細研究了真空度對膜層質(zhì)量的影響,