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文檔簡介
1、壓電式噴墨打印技術(shù)以其經(jīng)濟、耐用、高效、分辨率高等優(yōu)點得到廣泛的應(yīng)用。該項技術(shù)已經(jīng)向微電子制造、微型光學(xué)元件制作、微電子封裝等其他工業(yè)領(lǐng)域發(fā)展。同時這種技術(shù)的噴射材料也不止局限于墨水現(xiàn)在也可以用于銀漿、光刻膠等的噴射。這項技術(shù)現(xiàn)在被國外壟斷,因此國內(nèi)很多學(xué)者也在進行這方面的研究。
現(xiàn)在噴墨腔室的制作方法主要有犧牲層法和鍵合法,但是由于噴墨腔室的內(nèi)部尺寸較小,犧牲層材料不易排出?,F(xiàn)有的鍵合法是在蓋板上做好結(jié)構(gòu)然后進行鍵合,增加了
2、鍵合難度和成本。本文利用改進的直接熱鍵合法制作出了低成本的腔室。主要研究內(nèi)容如下:
(1)提出了一種改進的直接熱鍵合方法,可以有效的解決在鍵合過程中凹陷問題。首先利用MEMS工藝中的光刻工藝制得開放的噴墨腔室結(jié)構(gòu),然后鍵合一層厚度約10μm的SU-8膠膜,完成光刻后再旋涂一層SU-8膠完成鍵合。同時分析了鍵合壓力、鍵合時間和鍵合溫度對鍵合率和鍵合強度的影響。與其他鍵合方法相比鍵合過程中不易出現(xiàn)凹陷,鍵合率和鍵合強度比較高,可以
3、為制作低成本高鍵合強度微通道提供一種新的工藝方法。
(2)使用氧等離子體處理噴墨腔室表面提高SU-8膠的表面能提高鍵合強度。固化的SU-8膠的表面能很低鍵合層在顯影時很容易起膠。用氧等離子體處理SU-8膠表面后能夠增加其表面的浸潤性增強鍵合強度。同時設(shè)計了通過氣壓控制鍵合壓力大小的鍵合夾具,增大了鍵合過程中的施力面積,因此利用這個夾具可以對整個鍵合面施加均勻的鍵合壓力,使鍵合率和鍵合強度有了很大的改善。
(3)研究了
4、影響噴墨孔通孔率的因素。本文中的基底表面比較復(fù)雜,曝光的過程中在基底發(fā)生漫反射,反射光會使噴墨孔位置的SU-8膠曝光,影響噴墨孔的通孔率。通過實驗分析防反射材料AZ Baril-Ⅱ可以把入射光全部吸收消除反射光的影響,在基底應(yīng)用防反射材料AZ Baril-Ⅱ使通孔率有了一定的提高。同時在鍵合的過程中因為鍵合參數(shù)的影響會引起鍵合層的凹陷,在曝光的過程中會在鍵合層發(fā)生全反射使噴墨孔曝光影響通孔率,因此研究了最佳的鍵合壓力、鍵合時間和鍵合溫度
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