固體鋁電解電容器用碳-鋁復(fù)合箔的研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,電容器作為主要的電子元件也在不斷的更新?lián)Q代,鋁電解電容器作為電容器家族中的重要組成部分,是電容器研究者最熱衷的話題之一。
　　 目前,鋁電解電容器正朝著片式化,小型化,高電容的發(fā)展方向改進(jìn)。由于傳統(tǒng)的液態(tài)電解質(zhì)鋁電解電容器存在漏液、ESR高、溫度特性差、壽命短等缺點(diǎn),人們開發(fā)出以有機(jī)半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電高分子材料為電解質(zhì)的固體鋁電解電容器。在固體鋁電解電容器中用腐蝕法制得的鋁箔作為負(fù)極箔,制備和使用過程中由于

2、負(fù)極氧化,而造成ESR變大,電容降低。開發(fā)一種新固體電容器電極材料是固體鋁電解電容器發(fā)展的必要條件。
　　 本研究利用漿料法和等離子物理化學(xué)氣相沉積(PCVD)法制備了兩種不同的碳/鋁復(fù)合箔。對漿料法制備中的漿料成分、涂覆方式、真空度以及燒結(jié)溫度對碳層牢固度和電極比電容的影響;對PCVD法制備過程中沉積溫度對沉積碳層表面形貌和機(jī)械性能進(jìn)行研究,并比較了PCVD復(fù)合法兩種工藝制備的碳/鋁復(fù)合箔在表面形貌和不良樣品比例。結(jié)果表明碳層

3、厚度為20μm,涂覆方式為印刷法,保溫時間為20小時的情況下可得到牢固度較好的復(fù)合箔。漿料中加入催化劑后,鋁箔表面會生成碳納米線,對碳層牢固度的提高有良好效果。當(dāng)碳層厚度為50μm,經(jīng)600℃、20h的熱處理工藝制得的復(fù)合箔比電容高達(dá)912μF/cm2。PCVD法制備碳/鋁復(fù)合箔,在沉積溫度為350℃,丙烷氫氣比在3比1時,可得到機(jī)械性能和表面碳層良好的碳/鋁復(fù)合箔。沉積溫度超過400℃,鋁箔的機(jī)械性能損害嚴(yán)重。經(jīng)PCVD復(fù)合工藝處理后