鋁電解電容器高壓陽(yáng)極箔腐蝕工藝的優(yōu)化.pdf

1、隨著電子工業(yè)小型化、集成化的發(fā)展，高壓高比容鋁電解電容器將成為未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)。目前主要采用增大陽(yáng)極鋁箔的真實(shí)表面積方法來(lái)提高比電容，在擴(kuò)面腐蝕時(shí)會(huì)受到許多因素影響，同時(shí)復(fù)雜的工藝也會(huì)嚴(yán)重制約比電容的進(jìn)一步提高。本論文的研究主要采用正交試驗(yàn)法、量子化學(xué)計(jì)算法、阻抗譜圖法及掃面電子顯微鏡分別分析了電流密度、溶液溫度、溶液濃度、腐蝕時(shí)間、緩蝕劑對(duì)陽(yáng)極鋁箔腐蝕性能的影響規(guī)律，得出對(duì)比電容影響最大的因素。并著重針對(duì)這個(gè)因素對(duì)工藝和設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，并

2、分析了緩蝕劑的緩蝕機(jī)理。
　　首先，對(duì)陽(yáng)極鋁箔腐蝕工藝參數(shù)進(jìn)行正交試驗(yàn)，選取發(fā)孔、擴(kuò)孔實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍。發(fā)孔工藝的參數(shù)范圍為:HCl:0.8～1.2mol/L，H2SO4:2.5～3.5mol/L,腐蝕時(shí)間50～70s，腐蝕溫度73～79℃，電流密度0.25～0.35A/cm2。在最佳發(fā)孔工藝的基礎(chǔ)上，擴(kuò)孔采用化學(xué)腐蝕法，工藝參數(shù)范圍為:HNO3:1.8～2.2mol/L，腐蝕液溫度74～78℃，時(shí)間11～13min。得出對(duì)腐蝕工藝效

3、果影響最大的因素。
　　其次，通過(guò)添加緩蝕劑避免由于過(guò)腐蝕造成的并孔現(xiàn)象降低擴(kuò)面效果。采用MaterialStudio6.0軟件中量子化學(xué)模塊對(duì)不同種類的緩蝕劑分子進(jìn)行量化學(xué)分析，確定緩蝕劑分子的活性點(diǎn)位置及與鋁箔表面吸附能力強(qiáng)弱。通過(guò)和鋁箔表面成鍵的形式來(lái)分析緩蝕劑緩蝕的機(jī)理。
　　最后，通過(guò)正交試驗(yàn)確定了溫度等各個(gè)因素對(duì)試驗(yàn)效果影響的不同，改進(jìn)原有試驗(yàn)設(shè)備保溫性能不好等弊端，設(shè)計(jì)了“循環(huán)式自動(dòng)恒溫電解槽”。并把正交試驗(yàn)結(jié)