旋涂法制備n+發(fā)射極和非晶硅薄膜等離激元增強(qiáng)光吸收的研究.pdf

1、單晶硅太陽(yáng)能電池制造行業(yè)的發(fā)展方向便是降低生產(chǎn)成本和增加轉(zhuǎn)換效率。將太陽(yáng)能電池的兩個(gè)制備步驟合并為一個(gè)且不降低晶體硅電池性能便是降低生產(chǎn)成本的方法。而納米金屬的等離子激元共振對(duì)光的吸收和散射特性可以用來(lái)提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。本文使用旋涂的方法來(lái)完成磷摻雜制備n+發(fā)射極和減反射層這兩個(gè)步驟。同時(shí)利用磁控濺射來(lái)制備納米銀薄膜，并對(duì)納米銀薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能進(jìn)行了研究。主要內(nèi)容包括：
　　 1.不同于商用的磷源，我們將使用正硅

2、酸乙酯(TEOS)來(lái)制備不同磷源濃度的摻雜磷源。我們測(cè)試了SOD磷源中不同磷酸濃度對(duì)n+發(fā)射極方塊電阻的影響，同時(shí)也研究了加熱時(shí)間和溫度對(duì)方塊電阻的影響。發(fā)現(xiàn)使用旋涂摻雜的方法來(lái)制備n+發(fā)射極，其方塊電阻都受到這三個(gè)條件的影響。且SOD薄膜在加熱后形成了SiO2薄膜。并且研究了SOD薄膜的減反射特性，發(fā)現(xiàn)其具有一定的減反射效果。
　　 2.納米銀薄膜是通過磁控濺射和低溫退火的方法制備。通過制備不同厚度的銀薄膜，研究不同尺寸大小納