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文檔簡介
1、與氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效應(yīng)相比,硅鍺薄膜作為窄帶隙材料,能夠提高太陽光的吸收效率,從而提升薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。在力求降低成本,提高效率以及節(jié)能減排的大背景下,硅鍺薄膜材料已成為研究的熱點(diǎn)。
本文采用 SiH4+GeH4作為反應(yīng)氣體在高純 H2稀釋的情況下,運(yùn)用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(VHF-PECVD)技術(shù)制備了非晶硅鍺薄膜材料樣品。通過控制變量法,研究了鍺烷濃度、氫稀釋率、襯底
2、溫度、輝光功率和反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對薄膜樣品的微結(jié)構(gòu)、光學(xué)特性和電學(xué)特性的影響,并對參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
經(jīng)過實(shí)驗(yàn)制備薄膜樣品及測試分析得出以下結(jié)論:在實(shí)驗(yàn)室制備的過程中,襯底溫度保持在350~400℃,輝光功率為30W,氫稀釋率為96％,鍺烷濃度固定在5%,腔室內(nèi)反應(yīng)氣體壓強(qiáng)保持在100Pa時,可以獲得光電性能較好,結(jié)構(gòu)較理想的非晶硅鍺薄膜材料。在此工藝條件下制備的薄膜材料,生長過程中沉積速率能達(dá)到0.45nm/s,光、暗電導(dǎo)率能夠相差
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