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1、由于輻射環(huán)境存在綜合性,因此選擇對(duì)綜合輻射效應(yīng)進(jìn)行研究。單片機(jī)一般為CMOS工藝,對(duì)電離輻射十分敏感,故而著重研究其綜合電離輻射效應(yīng)。研究了反應(yīng)堆中子和γ射線綜合輻照環(huán)境下CMOS工藝大規(guī)模集成電路的電離輻照效應(yīng)。通過對(duì)80C196KC20和PSD501B1兩種不同芯片在該環(huán)境下開展綜合輻照試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)總的靜態(tài)電流增長(zhǎng)不明顯。通過分析,得出了在反應(yīng)堆的綜合輻照環(huán)境下,中子電離效應(yīng)較弱,并且由于中子位移效應(yīng)引起載流子遷移率降低和載流子濃度降
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