SnO-,2-材料光致發(fā)光的特性研究.pdf

1、氧化錫(SnO2)是一種具有直接帶隙的寬禁帶半導體材料，室溫下氧化錫的禁帶寬度是3.62eV，具有130meV的激子束縛能，另外，氧化錫的制備溫度較低、物理化學性質穩(wěn)定，因此氧化錫是一種很有前途的紫外和藍光材料?！　”疚幕仡櫫私陙硌趸a薄膜的研究近況，報道了我們用射頻磁控濺射法制備Sb摻雜氧化錫薄膜的制備方法、發(fā)光特性、發(fā)光機理以及制備條件對薄膜發(fā)光的特性的影響，包括不同的制備功率、不同的退火環(huán)境和溫度、不同的制備氧分壓和不同的測試

2、溫度。采用常壓化學氣相沉積(APCVD)方法制備了未摻雜氧化錫薄膜，研究了其結構和光致發(fā)光特性?！　〉谝徽陆榻B了氧化錫薄膜的研究近況，基本性質，論述了研究課題的選題動機?！　≡诘诙轮?，介紹了本實驗所用的射頻濺射系統(tǒng)，闡述了濺射原理及其各部分組成。詳細介紹了研究氧化錫薄膜的測試方法和儀器設備的型號及原理。薄膜的結構特性使用RIGAKUD-MAX-γA型X射線衍射儀(CuKα射線源，波長λ=1.54178A)來測試的，薄膜的形貌是用美

3、國Park公司生產的APHM-0190型原子力顯微鏡(AFM)觀察的，薄膜的發(fā)光特性研究是采用HitachiM-850型光譜儀?！　〉谌潞偷谒恼路謩e介紹了Sb摻雜氧化錫膜的制備過程和制備條件對發(fā)光特性的影響以及純氧化錫薄膜的制備和發(fā)光特性。在摻雜氧化錫的制備過程中，選用純度為99.99％SnO2：Sb2O3陶瓷靶為源材料，選用玻璃襯底制備出具有較強紫外發(fā)光性能的氧化錫薄膜。射頻濺射淀積的氧化錫薄膜為具有四方金紅石結構的多晶薄膜，且具