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1、國(guó)內(nèi)功率VDMOS管用外延片現(xiàn)在主要采用6英寸拋光片，但一直以來(lái)我國(guó)生產(chǎn)的6英寸厚層外延片質(zhì)量并不能完全滿(mǎn)足VDMOS生產(chǎn)的需要，主要是隨著襯底尺寸、外延厚度的增長(zhǎng)，外延厚度、電阻率一致性以及外延過(guò)渡區(qū)等諸多問(wèn)題無(wú)法滿(mǎn)足要求；同時(shí)外延層中的微缺陷和重金屬雜質(zhì)沾污也是VDMOS管失效的主要原因之一。
本課題從外延生長(zhǎng)的機(jī)理進(jìn)行分析重?fù)诫s（重?fù)紸s為例）襯底的自摻雜現(xiàn)象，通過(guò)實(shí)際、有效、簡(jiǎn)單的工藝流程來(lái)解決外延層一致性差的問(wèn)題
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