以氧化物為前驅(qū)體通過(guò)非真空法制備CuInSe-,2-薄膜研究.pdf

1、銅銦硒(CulnSe2，簡(jiǎn)寫CIS)薄膜太陽(yáng)能電池以其吸收層的吸收系數(shù)高、運(yùn)行穩(wěn)定、轉(zhuǎn)換效率高、成本低、弱光性能好等優(yōu)點(diǎn)引起國(guó)際光伏界的廣泛關(guān)注。本文主要從低成本的角度出發(fā)，研究CIS薄膜太陽(yáng)能電池中的關(guān)鍵吸收層——CIS薄膜的非真空制備工藝，以期為CIS薄膜太陽(yáng)能電池的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)做出一些貢獻(xiàn)。論文主要分為兩個(gè)部分，具體內(nèi)容如下：
　　 第一部分主要包括利用CuO和In2O3混合氧化物作為前驅(qū)體，通過(guò)非真空工藝制備高質(zhì)量C

2、IS薄膜。本研究利用檸檬酸法制備出分散性好粒徑大小在100nm左右的CuO、In2O3混合氧化物粉體，然后通過(guò)非真空法制備出CIS薄膜。為了得到非常致密的大結(jié)晶顆粒CIS薄膜，采用了一些特殊的處理方式，比如：我們通過(guò)檸檬酸法制備混合氧化物粉體，這對(duì)于粉體的均勻混合、粉體粒徑的控制都是有利的；在漿料中加入的大大過(guò)量的Se，使得整個(gè)熱處理的過(guò)程都處于非化學(xué)平衡的狀態(tài)，以達(dá)到促進(jìn)In2O3還原的目的，這樣就更容易得到純相，更容易使薄膜致密。同

3、時(shí)，出于環(huán)境的考慮，在硒化的過(guò)程中使用的固態(tài)硒源來(lái)取代劇毒的H2Se氣體。在研究過(guò)程中，考察了多個(gè)參數(shù)對(duì)于最后CIS薄膜的影響，包括：還原時(shí)間對(duì)樣品中氧含量的影響、硒化時(shí)間、硒化時(shí)Se的蒸汽壓對(duì)CIS薄膜的成相情況及形貌方面的影響等等。最終，找到了最佳的工藝參數(shù)，能夠得到非常致密的大晶粒CIS薄膜。另外一方面，這項(xiàng)工作還存在一些不足之處，最關(guān)鍵的問(wèn)題在于成膜工藝方面，薄膜的平整度比較差，這會(huì)成為后期制作CIS薄膜太陽(yáng)能電池的一個(gè)障礙，因