2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、制造工藝尺寸縮小與單位芯片晶體管數(shù)量遞增,使集成電路供電電壓降低和測試難度增加。低電壓技術(shù)增加了晶體管對輻射粒子的敏感性,在輻射環(huán)境中極易發(fā)生軟錯誤。另一方面,芯片測試難需在設(shè)計之初加入可測性設(shè)計。因此,設(shè)計具有容錯功能的掃描觸發(fā)器不僅能解決電路掃描測試,實現(xiàn)可測性設(shè)計,而且能為時序電路可靠性的提高增加一種解決方法。
  本文設(shè)計的容錯掃描觸發(fā)器有三種功能模式:容錯、節(jié)能和掃描,通過給控制端輸入不同電平實現(xiàn)。觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)主要由上下

2、兩組鎖存器、C單元和其它標(biāo)準(zhǔn)單元組成。當(dāng)處于容錯模式時,數(shù)據(jù)在觸發(fā)器內(nèi)分兩路,經(jīng)過內(nèi)部單元處理可抵抗軟錯誤。
  容錯掃描觸發(fā)器內(nèi)的非標(biāo)準(zhǔn)子單元進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)庫建立(本文采用中芯國際SMIC0.18μm制造工藝)。首先,設(shè)計出各單元的原理圖,提取晶體管網(wǎng)表文件(CDL);接著,參照制造工藝標(biāo)準(zhǔn),按單元原理圖繪制所有單元標(biāo)準(zhǔn)版圖;使用工具抽取版圖引腳信息,得到物理信息庫(LEF);最后,在晶體管級網(wǎng)表基礎(chǔ)上,分別編寫針對觸發(fā)器單元時序、各

3、引腳功耗及輸入電容等仿真及參數(shù)的提取程序,將提取出的相關(guān)數(shù)據(jù)信息編輯成邏輯信息庫(LIB)。
  文中采用通用異步接收/發(fā)送裝置(UART)的發(fā)射機(jī)作為容錯掃描觸發(fā)器的測試、驗證載體。在對 UART發(fā)射機(jī)綜合及插入DFT的基礎(chǔ)上,將容錯掃描觸發(fā)器對發(fā)射機(jī)結(jié)構(gòu)級網(wǎng)表中的掃描觸發(fā)器逐一替換,這樣就將UART發(fā)射機(jī)變成了容錯發(fā)射機(jī)。首先,對容錯發(fā)射機(jī)的容錯、節(jié)能功能測試以及對電路中掃描測試。接著通過綜合工具讀取網(wǎng)表及導(dǎo)入觸發(fā)器的新單元,

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