LCD中COF互連工藝及可靠性研究.pdf

1、金-金熱壓工藝在鍵合過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生芯片開(kāi)裂(IC cracking)，為了從根本上解決此問(wèn)題，利用ANSYS軟件，運(yùn)用有限元模擬方法研究了金-金熱壓工藝中鍵合力對(duì)芯片內(nèi)部Al壓焊塊應(yīng)力分布的影響，得出應(yīng)力集中點(diǎn)位置與芯片開(kāi)裂點(diǎn)位置一致。為了降低應(yīng)力集中，模擬了撓性基板上印制線寬度分別為25μm和17μm時(shí)，在相同鍵合力和相同單位面積鍵合力情況下對(duì)芯片損傷情況，發(fā)現(xiàn)小印制線寬度在相同單位面積鍵合力情況下在Al壓焊塊中應(yīng)力集中較小，并經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)

2、證，小印制線寬度情況下能消除芯片開(kāi)裂現(xiàn)象。分析了實(shí)際工藝過(guò)程中在不同偏移容差情況下，印制線寬度分別為20μm和10μm的撓性基板對(duì)Al壓焊塊內(nèi)應(yīng)力集中的影響。并根據(jù)實(shí)際制樣設(shè)備偏移容差的正態(tài)分布，擬合出不同印制線寬度的撓性基板對(duì)鍵合機(jī)鍵合偏移容差不同的要求，以避免產(chǎn)生芯片開(kāi)裂現(xiàn)象。得出的結(jié)論為偏移容差為5μm的機(jī)器適用于10μm印制線寬度的撓性基板。而20μm印制線寬度的撓性基板對(duì)5μm和10μm的偏移容差來(lái)說(shuō)變化不劇烈。由于17μm接

3、近20μm，并且在對(duì)準(zhǔn)情況下沒(méi)有出現(xiàn)芯片開(kāi)裂的現(xiàn)象，所以對(duì)于偏移容差為5-10μm內(nèi)的鍵合機(jī)都用來(lái)鍵合17μm印制線寬度的樣品。 本文用金-金熱壓，金-錫熱壓和金-錫非導(dǎo)電膜三種COF工藝進(jìn)行制樣，制樣單位1000。發(fā)現(xiàn)金-錫非導(dǎo)電膜工藝存在較為嚴(yán)重的COF失效。對(duì)三種COF工藝制備的樣品進(jìn)行AHT，TST，AHTO加速實(shí)驗(yàn)以測(cè)試其可靠性。分析可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)濕氣對(duì)NCF工藝的接觸電阻的影響較大，用四點(diǎn)法對(duì)金-金非導(dǎo)電膜樣品的