寬溫高穩(wěn)定性BaTiO3-Bi(Mg1-2Ti1-2)O3介電陶瓷的制備與改性研究.pdf

1、多層陶瓷電容器(MLCC)是重要的電子元件，幾乎可以應(yīng)用于所有的電子工業(yè)中。由于具有很高的介電常數(shù)和長(zhǎng)壽命的絕緣特性，鈦酸鋇(BaTiO3)是應(yīng)用最廣泛的鈣鈦礦鐵電體，因此，鈦酸鋇基陶瓷材料一直是MLCC研究的焦點(diǎn)。但鈦酸鋇的居里點(diǎn)只有～130℃，限制了它在XnR瓷料中工作溫度上限，無(wú)法滿足更高溫度介電性能的穩(wěn)定性要求。
　　 本論文針對(duì)上述問(wèn)題，以(1-x)BaTiO3-xBi(Mg1/2Ti1/2)O3(BT-BMT)體系為

2、研究對(duì)象，重點(diǎn)探索(1-x)BT-xBMT(x=0.01～0.60)陶瓷的結(jié)構(gòu)、介電性能和弛豫現(xiàn)象。研究發(fā)現(xiàn)，BMT的加入使BT基陶瓷表現(xiàn)出明顯的頻率色散和彌散相變特征，介電常數(shù)峰被壓低，介溫譜的峰變得更為平坦，但BMT在BT中固溶度僅為7mol％。介溫曲線表明，名義組成為0.85BT-0.15BMT的Tm較低，溫度穩(wěn)定性好，具有較好的可調(diào)性，經(jīng)摻雜改性有可能應(yīng)用于XnR型MLCC材料。
　　 Nb2O5、Co2O3摻雜BT體系

3、能有效的增強(qiáng)體系的溫度穩(wěn)定性，但是工藝的不同會(huì)導(dǎo)致陶瓷微觀結(jié)構(gòu)的變化。本論文著重討論了Nb、Co摻雜BT-BMT體系中殼芯結(jié)構(gòu)形成的機(jī)理。兩種不同添加摻雜劑順序的工藝導(dǎo)致不同的微觀結(jié)構(gòu)，但是都能得到符合X8R要求的陶瓷介質(zhì)。介電性能為：介電常數(shù)～1000，損耗小于1.5％，容溫變化率≤±15％的溫度范圍-55～155℃。
　　 通過(guò)BT基殼-芯結(jié)構(gòu)和介電性能的關(guān)系，設(shè)計(jì)并合成一種多殼層結(jié)構(gòu)陶瓷，以拓寬體系容溫變化率≤±15％的溫