已閱讀1頁，還剩73頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、該論文對ECR_PAMOCVD外延生長C_GaN膜過程中各個(gè)階段等離子體的電子溫度、電子能量分布、空間電位、電子(離子(密度以及粒子種類等微參數(shù)進(jìn)行了研究,并進(jìn)一步探討了對襯底預(yù)處理的影響. 實(shí)驗(yàn)證明襯底的預(yù)處理對立方GaN外延生長的速度和質(zhì)量是置關(guān)重要的.因此,了解等離子體預(yù)處理(清洗、氮化)過程中氫、氮等離子體的微參數(shù)對改進(jìn)實(shí)驗(yàn)是有必要的.該論文組建了一套靜電探針數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),并設(shè)計(jì)了配套的數(shù)據(jù)采集與處理軟件. 通過此系統(tǒng)對ECR_
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 襯底預(yù)處理對外延生長GaN薄膜性能的影響.pdf
- 激光微加工過程中等離子體的研究.pdf
- 襯底處理對MOCVD外延生長GaN薄膜性能的影響.pdf
- GaN生長中的等離子體光譜研究.pdf
- SiC表面ECR氫等離子體處理研究.pdf
- ECR等離子體參數(shù)空間分布特性研究及制備GaN薄膜中的應(yīng)用.pdf
- 等離子體預(yù)處理對穿心蓮種子萌發(fā)過程基因表達(dá)及后期生長的影響.pdf
- 氟基等離子體處理對AlGaN-GaN HEMT的影響研究.pdf
- 通過RHEED原位監(jiān)測GaN膜的ECR-PAMOCVD生長.pdf
- 塵埃的充電和生長過程對等離子體參數(shù)的影響.pdf
- Si襯底GaN的外延生長研究.pdf
- 等離子體處理催化劑過程溫度參數(shù)的測定.pdf
- 等離子體的參數(shù)測量
- Si襯底GaN外延層的MOCVD生長研究.pdf
- ECR等離子體-離子束平臺建設(shè)與硅基納米材料的調(diào)控生長.pdf
- 圖形襯底上GaN材料的外延生長研究.pdf
- 脈沖激光燒蝕等離子體和ECR等離子體及相互作用的光譜研究.pdf
- 熱處理對MOCVD外延生長GaN薄膜性能的影響.pdf
- PVD和CVD過程中等離子體物理特性混合模擬及實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 微間距介質(zhì)阻擋放電等離子體參數(shù)研究.pdf
評論
0/150
提交評論