低維磁性納米材料的制備與性能研究.pdf

1、近年來，包括磁性納米線及磁性納米薄膜在內的低維磁性納米材料因為在磁記錄領域潛在的應用價值而吸引了眾多的關注。本文采用陽極氧化法制備了小孔徑的AAO模板，采用方波脈沖電沉積制備了FeCo、FeNi和CoCu合金納米線陣列，利用SEM、TEM、XRD對其形貌和晶體結構進行了研究，并采用振動樣品磁強計研究了電沉積液中CoCu的比例及電源頻率對納米線陣列磁性的影響；采用溶膠-凝膠法和機械甩膜法在ITO導電玻璃上制備了KIT-6介孔膜，通過小角X

2、RD和N2等溫吸附-脫附對結構進行了研究，并采用TEM對介孔膜的形貌進行了表征。在KIT-6介孔膜中電沉積制備了Co、Fe、FeCo、CoCu磁性薄膜，利用SEM、XRD、振動樣品磁強計對其形貌、晶體結構和磁性能進行了研究，并研究了熱處理對Fe、Co單質薄膜磁性能的影響。
　　 AAO模板的孔道經(jīng)擴孔后孔徑約為15 nm，其孔道平行排列且垂直于膜面。脈沖電沉積成功制備出了尺寸約為15nm的FeCo、FeNi和CoCu多晶納米線，

3、納米線陣列均具有明顯的磁各向異性，其易磁化方向垂直于膜面，均具有較高的矯頑力和剩磁比，其最高矯頑力分別為2509.8Oe, 1839.6Oe和1977.5Oe。另外，CoCu納米線陣列的磁性能隨電沉積液中CoCu比例的增大而增大，主要是由于納米線中Co的沉積量逐漸增加，其磁性能隨電源頻率的增大而減小并逐漸趨于平穩(wěn)，這是Co沉積量和磁交換耦合作用共同作用的結果。KIT-6薄膜為無序介孔結構，孔徑約為5 nm；磁性能測試表明薄膜均表現(xiàn)出良好