電子器件中銅及ITO薄膜電極的腐蝕行為研究.pdf

1、電子器件中銅及ITO薄膜電極的腐蝕行為研究作者:導(dǎo)師:思勁教授苗日李指導(dǎo)，J、組成員:李勁將益明教授副教授2.3.3循環(huán)伏安法....................……，...................……232.3.4電化學(xué)阻抗譜............................................……242.4結(jié)構(gòu)與性能表征..........................................

2、......……262.4.IX射線衍射譜表征薄膜表面成分與結(jié)構(gòu)....……，...........……262.4.2二次離子質(zhì)譜表征薄膜淺層成分分布........................……272.5本章小結(jié)......................................................……28第三章同位素示蹤法研究銅薄膜在水汽中的氧化傳質(zhì)......................……293，1

3、引言................................……，...................……293.2氧化實驗與氧化產(chǎn)物表征........................................……293.2.1氧化實驗過程............................................……293.2.2氧化產(chǎn)物結(jié)構(gòu)分析..............................

4、..........……303.2.3同位素在氧化膜內(nèi)的分布表征..............................……313.3微觀擴散機制研究..............................................……343.4本章小結(jié)......................................................……36第四章電化學(xué)阻抗譜分析工T0薄膜的電化學(xué)腐蝕......

5、....................……374.1引言..........................................................……374.2EIS表征工T0薄膜電化學(xué)極化過程.........……、、.......……374.2.1工TO薄膜原樣的EIS譜分析................................……374.2.2ITO薄膜的電化學(xué)陰極極化............

6、....................……394.2.3電化學(xué)阻抗譜表征極化過程................................……404.2.4ITO薄膜的電化學(xué)腐蝕機理分析............................……424.3環(huán)境參數(shù)對ITO薄膜電化學(xué)腐蝕的影響...........................……444.3.1溶液PH值.....……，.....................

7、..............……444.3.2溶液溫度................................................……454.3.3溶液氯離子濃度....................................……，..…474.4本章小結(jié)..................……，.............................……4S第五章總結(jié)與展望................

8、...................................……505.1總結(jié).........................................................……505.2展望....................................……，...............……51參考文獻................................................