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文檔簡介
1、金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)是當今最先進、最主要的制備半導體材料和器件的技術(shù)，特別是在制備GaN基LED方面具有廣泛的應用前景和市場需求。MOCVD設(shè)備的反應室是核心部件，反應室設(shè)計的優(yōu)劣直接關(guān)系到其所生長薄膜的質(zhì)量。利用計算機對反應室進行建模仿真研究，是研究反應室不可或缺的方法。本文采用FLUENT軟件對MOCVD設(shè)備反應室進行了二維數(shù)學模型分析與計算。
文中分析了設(shè)備的工藝參數(shù)和反應室?guī)缀谓Y(jié)構(gòu)對反應室內(nèi)流場和溫
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