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文檔簡介
1、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（英文簡寫 MOCVD）是制備半導(dǎo)體器件或部件的重要技術(shù)，已成為現(xiàn)今半導(dǎo)體照明材料使用最廣泛的薄膜制備技術(shù)。反應(yīng)室是制造MOCVD設(shè)備的關(guān)鍵和難點(diǎn)，它的設(shè)計(jì)直接決定著半導(dǎo)體薄膜材料的最終質(zhì)量；而半導(dǎo)體材料的生長厚度與反應(yīng)室的溫度分布密切相關(guān)，因此對反應(yīng)室加熱系統(tǒng)的研究具有非常重要的意義。
本文針對自主研發(fā)的MOCVD設(shè)備，為了減少其反應(yīng)室內(nèi)加熱裝置的制造成本，提出了一種安全、低價的中頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)，用
2、于替代以往設(shè)備中價格昂貴的直流電阻爐加熱器。
根據(jù)感應(yīng)加熱的原理及感應(yīng)加熱式 MOCVD設(shè)備的特點(diǎn)，本文在ANSYS環(huán)境下建立了其反應(yīng)室的3D模型，并通過有限元法對其簡化二維模型的感應(yīng)電磁場和溫度場進(jìn)行了耦合仿真分析，重點(diǎn)研究了反應(yīng)室石墨基座表面的溫度場分布情況。
論文研究了電流強(qiáng)度、電流頻率對磁場分布、基座中焦耳熱分布及溫度場分布的影響，發(fā)現(xiàn)電參數(shù)與加熱效率成正比，與溫度均勻性成反比，同功率下溫度的均勻性隨著電流頻
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