200V SOI-LDMOS器件SPICE動(dòng)態(tài)模型研究.pdf

1、絕緣體上硅橫向雙擴(kuò)散MOS(SOI-LDMOS)器件由于其開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、寄生參數(shù)小等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在功率集成電路領(lǐng)域。SPICE器件模型是對(duì)器件電學(xué)特性的描述與預(yù)測(cè)，精確的器件模型可以大大縮短電路的開(kāi)發(fā)周期。在實(shí)際的功率集成電路中，SOI-LDMOS器件總是工作在動(dòng)態(tài)條件下，然而，目前業(yè)界并沒(méi)有能夠精確描述SOI-LDMOS器件動(dòng)態(tài)特性的SPICE模型，因此，本文對(duì)SOI-LDMOS器件SPICE動(dòng)態(tài)模型的研究意義重大

2、。
　　本文首先介紹了200VSOI-LDMOS器件的結(jié)構(gòu)及工藝流程，并詳細(xì)分析了由非均勻溝道和漂移區(qū)導(dǎo)致的器件特殊的電容特性。在此基礎(chǔ)上，將器件分成溝道區(qū)、柵氧漂移區(qū)和場(chǎng)氧漂移區(qū)三個(gè)部分，并對(duì)這三個(gè)部分分別進(jìn)行建模。在溝道區(qū)建模時(shí)，建立了一種新的考慮非均勻溝道的溝道區(qū)動(dòng)態(tài)模型，在柵氧漂移區(qū)建模時(shí)，建立了一種基于表面勢(shì)近似的柵氧漂移區(qū)動(dòng)態(tài)模型，而場(chǎng)氧漂移區(qū)部分則被簡(jiǎn)單地看作一個(gè)電阻模型。接著，按照電荷分配方案綜合上述各區(qū)域模型得到