60GHzCMOS功率放大器的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、近年來，隨著對短距離高速無線通信的需求增加，推動了60GHz毫米波頻段射頻前端的研究與發(fā)展。而功率放大器作為射頻前端中最關(guān)鍵的模塊之一，也是限制其性能的最重要部分,其設(shè)計(jì)與發(fā)展就顯得尤為關(guān)鍵。1990年以來，毫米波頻段的功率放大器大多由Ⅲ-Ⅴ族等工藝來實(shí)現(xiàn)，雖然性能出眾卻在造價與集成度兩方面有著難以解決的弊端。在這種趨勢下，CMOS工藝隨著其性能的飛速發(fā)展，在毫米波頻段的潛力與優(yōu)越性逐漸體現(xiàn)出來。
　　本文從國內(nèi)外發(fā)展的趨勢入手結(jié)

2、合實(shí)際所需求的通信環(huán)境對指標(biāo)的要求，對60GHz CMOS功率放大器進(jìn)行了分析與設(shè)計(jì)。前后一共動用三種方式試圖對性能進(jìn)行改進(jìn)，并得出可擴(kuò)展性較強(qiáng)的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，方便之后的改進(jìn)與設(shè)計(jì)。
　　1）首先是工藝發(fā)展的趨勢與90nm CMOS工藝的諸多特性分析與總結(jié)，為之后的設(shè)計(jì)做準(zhǔn)備。
　　2）然后用電感實(shí)現(xiàn)了單端CS結(jié)構(gòu)的三級功率放大器，線性增益與最大線性輸出功率分別為5dB、5.9dBm，飽和輸出功率9dBm。
　　3)最