應(yīng)力對(duì)納米晶光電性能影響的研究.pdf

1、鑲嵌在母體基體中的納米晶會(huì)受到明顯的應(yīng)力作用。所以探究納米晶在生長過程中受到的應(yīng)力在對(duì)其光學(xué)和電學(xué)性能的影響，對(duì)未來的技術(shù)應(yīng)用有重要的意義。在本文中，通過二維有限元計(jì)算軟件ANSYS對(duì)納米晶鑲嵌母體材料的中生長過程中由于熱膨脹錯(cuò)位產(chǎn)生的應(yīng)變分布進(jìn)行模擬分析。
　　 本文通過使用脈沖激光沉積技術(shù)，制備出幾種不同的納米晶復(fù)合薄膜材料，采用拉曼光譜(Raman)、透射電子顯微鏡(TEM)、光致發(fā)光譜(PL)和C-V等檢測(cè)技術(shù)對(duì)所沉積和

2、退火后的薄膜表面形貌、微觀結(jié)構(gòu)和光電特性進(jìn)行表征和分析。同時(shí)，通過大型有限元計(jì)算軟件ANSYS10.0的模擬結(jié)果，我們發(fā)現(xiàn)由于母體材料和納米晶材料的楊氏模量和泊松比不同，在納米晶的生長過程中，同種納米晶在不同母體環(huán)境中受到的應(yīng)力大小和不同納米晶在相同母體環(huán)境中所受的應(yīng)力大小都是有差異的，這就導(dǎo)致了在納米晶的生長過程中，在其內(nèi)部或者界面處會(huì)形成一些缺陷來緩沖這種應(yīng)力。納米晶受到的應(yīng)力越大，產(chǎn)生的缺陷越多。PL結(jié)果和C-V特性也都表明缺陷對(duì)