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文檔簡介
1、ZnO是一種寬禁帶、直接帶隙半導(dǎo)體材料,因其具有很多特性,有望成為新一代光電材料。
本文利用熱注入法合成分散性良好的ZnO納米晶,并通過不同的方法對(duì)納米晶的表面進(jìn)行改性。制備了ZnO納米晶薄膜并測試了其紫外光電導(dǎo)性能,來探討ZnO納米晶表面改性的效果。主要研究內(nèi)容如下:
1、利用正丁胺配體交換ZnO納米晶表面原有的硬脂酸根配體,F(xiàn)TIR表明正丁胺可以有效地取代硬脂酸根,UV表明交換前后的ZnO納米晶溶液都具備良好的分
2、散性,XRD表明交換前后的ZnO納米晶都是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),TEM表明ZnO納米晶從交換前的三角錐形變成了交換后的球形。交換前的ZnO納米晶薄膜沒有任何紫外光響應(yīng),而配體交換后的ZnO納米晶薄膜的光暗電流開關(guān)比高達(dá)107。以上結(jié)果說明正丁胺取代ZnO納米晶表面硬脂酸根的配體交換是成功的。
2、TMAH溶液可以有效地除掉ZnO納米晶表面的硬脂酸根配體。實(shí)驗(yàn)中使用了不同濃度(10 mg/mL和20 mg/mL)、不同溶劑(甲醇和乙醇
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