Bi2O3@Bi2S3和CdO@Cds核-殼結(jié)構(gòu)微納半導(dǎo)體材料的制備及其光電性能研究.pdf

1、微納核-殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光電材料，由于具有獨(dú)特的理化特性，近來得到了人們的廣泛關(guān)注，并已經(jīng)應(yīng)用于光電化學(xué)太陽能電池、光電子器件、光學(xué)器件、生物醫(yī)藥等各個(gè)領(lǐng)域。其中Ⅱ型核-殼結(jié)構(gòu)光電材料由于其特有的能帶結(jié)構(gòu)，近年來也得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。本文中，我們研究了Bi2O3@Bi2S3和CdO@CdS兩種Ⅱ型核-殼結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體光電材料的制備及其光電性能。主要包括：
　　 (1)利用陰極分散法獲得Bi納米粒子組裝膜，經(jīng)過在空氣氣氛下氧化和后續(xù)表面硫

2、化處理，制備出Bi2O3@Bi2S3核-殼納米粒子薄膜，用XRD和Raman光譜確定該納米粒子薄膜為核-殼結(jié)構(gòu)；研究了其光電特性，考察了收集時(shí)間和硫化時(shí)間對(duì)光電性能的影響，并與單種Bi2O3或Bi2S3納米粒子薄膜的光電性能進(jìn)行了對(duì)比，給出了合理解釋。
　　 (2)先陰極電沉積金屬Bi微納枝晶薄膜，再在空氣氣氛下氧化和后續(xù)表面硫化處理，制備出Bi2O3@Bi2S3核-殼結(jié)構(gòu)枝晶薄膜，用XRD和XPS手段確定該枝晶薄膜為核，殼結(jié)構(gòu)

3、；研究了其光電特性，考察了沉積時(shí)間和硫化時(shí)間對(duì)光電性能的影響，并與單種Bi2O3或Bi2S3薄膜的光電性能進(jìn)行了對(duì)比，給出了合理解釋。
　　 (3)電沉積得到金屬Cd微粒薄膜，經(jīng)過氧化和表面硫化系列處理步驟，制備出CdO@CdS核-殼微納粒子薄膜，通過XRD和XPS手段確定該微納粒子薄膜為核-殼結(jié)構(gòu)；研究了其光電性能，考察了沉積時(shí)間和硫化時(shí)間對(duì)光電性能的影響，并與單種CdO或CdS薄膜的光電性能進(jìn)行了對(duì)比和討論。還測(cè)試了該核-殼