ZnO納米柱結(jié)構(gòu)的制備與改性及其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用.pdf

1、化石能源的過(guò)度消耗帶來(lái)了嚴(yán)重的能源和環(huán)境問(wèn)題，太陽(yáng)能電池作為可再生清潔能源可將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)化為電能，從而成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。在太陽(yáng)能結(jié)構(gòu)中，電子傳輸層具有非常重要的作用，收集光吸收層產(chǎn)生的光生電子并將電子傳輸?shù)綄?dǎo)電電極，對(duì)器件的光電轉(zhuǎn)化效率有直接影響。近年來(lái)研究較多的電子傳輸層材料是多孔納米TiO2顆粒，而ZnO具有高穩(wěn)定性，優(yōu)異的光電性能，良好的形貌可控性等優(yōu)點(diǎn)而可以作為取代TiO2的材料。同時(shí)，ZnO的電子遷移率高且易于制備成一維納

2、米柱結(jié)構(gòu)，可用作太陽(yáng)能電池的電子傳輸層。因此，對(duì)ZnO納米結(jié)構(gòu)的研究成為人們優(yōu)化太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的熱點(diǎn)之一。本文對(duì)應(yīng)用太陽(yáng)能電池的ZnO納米柱的制備工藝進(jìn)行探討，在優(yōu)化工藝條件下制備得到形貌整齊、尺寸均勻的ZnO納米柱陣列，在ZnO納米柱陣列基礎(chǔ)上，制備了ZnO∶Al陣列和ZnO/ZnMgO納米結(jié)構(gòu)，分別作為電子傳輸層材料組裝太陽(yáng)能電池器件，并對(duì)ZnO納米柱及優(yōu)化結(jié)構(gòu)和電池器件進(jìn)行表征和分析。得到的主要結(jié)果如下:
　　Ⅰ.ZnO納米

3、柱和納米管陣列的制備及光電性能表征
　　采用水浴法在ZnO種子層上生長(zhǎng)ZnO納米柱陣列，從種子液濃度、種子膜層數(shù)、生長(zhǎng)液濃度、生長(zhǎng)時(shí)間以及生長(zhǎng)液是否添加PEI對(duì)ZnO納米柱形貌的影響進(jìn)行了研究，得出0.2 mol/L的種子液、種子膜層數(shù)為5層時(shí)得到的ZnO種子層在不添加PEI、生長(zhǎng)液濃度為0.02 mol/L、生長(zhǎng)3h時(shí)能夠獲得整齊的ZnO納米柱陣列，納米柱沿c軸取向生長(zhǎng)，尺寸均勻，直徑約150nm。采用二次水浴生長(zhǎng)的方式刻蝕得到

4、ZnO納米管，二次水浴溫度為50℃、水浴時(shí)間為三小時(shí)時(shí)形成了中空的納米管結(jié)構(gòu)，管壁較薄約為20 nm。
　　采用兩步法制備結(jié)構(gòu)為Ag/P3HT/CH3NH3PbI3/ZnO/FTO的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件。通過(guò)測(cè)試電池器件的伏安特性曲線來(lái)考察電池性能，得到ZnO最佳水浴生長(zhǎng)條件為75 min，器件的最高光轉(zhuǎn)化效率為4.72％，填充因子為0.43。
　?、?ZnO∶Al納米柱陣列的制備及光電性能表征
　　在ZnO納米柱陣列

5、基礎(chǔ)上，采用水浴法制備了不同摻雜比例的ZnO∶Al納米柱陣列并對(duì)其形貌、結(jié)構(gòu)和元素組成進(jìn)行表征。摻雜后，納米柱陣列光透過(guò)率提高且表面方塊電阻下降。將ZnO∶Al納米柱陣列作為電子傳輸層應(yīng)用于PSCs器件中，在低摻雜濃度(1％)時(shí)得到最佳器件性能，光轉(zhuǎn)化效率達(dá)到5.78％，填充因子提高到0.54。
　　Ⅲ.ZnO/ZnMgO納米結(jié)構(gòu)的制備及光電性能表征
　　利用溶膠凝膠法在ZnO納米柱表面負(fù)載ZnMgO層，形成類“核殼結(jié)構(gòu)”的