基于非等溫技術(shù)的聚合物陷阱態(tài)研究.pdf

1、近些年來，聚合物電介質(zhì)材料中的空間電荷問題一直都是相關(guān)研究人員非常關(guān)注的焦點問題。因此，對電介質(zhì)材料中電荷陷阱能譜的分布進行科學準確的表征，對改進和提高電介質(zhì)材料的性能及其應(yīng)用水平都有著極為重要的科學意義和實用價值。
　　本文利用光激放電(Photo stimulated discharge-PSD)的原理測試聚合物電介質(zhì)材料中陷阱能譜的分布，具體完成以下工作:
　　搭建一個可以實現(xiàn)在不同溫度下進行PSD測試的實驗平臺。設(shè)計

2、可調(diào)節(jié)的恒溫樣品室，可以得到不同溫度下被測樣品的陷阱能譜分布情況;利用PSD與熱激電流(Thermally stimulated current-TSC)方法相結(jié)合，探究TSC方法中環(huán)境溫度的升高對電介質(zhì)材料的電荷陷阱結(jié)構(gòu)的影響。研究表明，針對同一被測樣品，TSC方法測量的陷阱深度比PSD方法淺得多，經(jīng)分析，由于電荷陷阱受到熱運動的侵蝕作用，TSC方法所測得的陷阱深度僅僅是一個視在值，而實際上，不論是經(jīng)過熱激發(fā)還是光激發(fā)，所測電流均來源