基于絲束電極技術的涂層深海腐蝕行為研究.pdf

1、目前作為防腐措施的有機涂層在深海環(huán)境中應用廣泛，但是有機涂層表面缺陷是金屬基體腐蝕的優(yōu)先位置。所以，有必要研究有缺陷涂層在模擬深海環(huán)境下失效過程。本論文將通過絲束電極測試技術(WBE)與電化學阻抗譜技術(EIS)相結合，對涂層進行單頻阻抗測試，并結合宏觀形貌等方法研究人造缺陷對有機涂層在模擬深海環(huán)境下失效過程的影響以及顏填料的影響。本論文的主要研究工作包括：
　　(1)驗證了絲束電極技術與電化學阻抗譜技術聯(lián)用技術的可行性和可靠性。

2、通過在絲束電極有機涂層表面做出1mm×3mm的人造缺陷，測試100根絲電極的腐蝕電位、腐蝕電流密度以及頻率為1赫茲的單頻阻抗。并將數(shù)據(jù)與宏觀照片相互佐證，確定了絲束電極技術(WBE)與電化學阻抗譜技術(EIS)聯(lián)合使用研究有機涂層失效過程的可行性和可靠性。
　　(2)通過環(huán)氧涂層、環(huán)氧缺陷涂層在常壓環(huán)境下的單頻阻抗的測試，可以監(jiān)測到涂層的防護性能從缺陷處開始下降，并不斷向周圍擴展的過程，這與EIS數(shù)據(jù)的變化趨勢一致，而且還可以監(jiān)測

3、到缺陷以外的涂層在較長時間內(nèi)還有較好的防護性能，缺陷的存在只是加速了涂層的失效，并不會使涂層完全失去防護作用。
　　(3)通過環(huán)氧涂層和環(huán)氧缺陷缺陷在6MPa環(huán)境下的單頻阻抗測試，并與常壓環(huán)境下測得的單頻阻抗對比，可以監(jiān)測到6MPa環(huán)境下的單頻阻抗圖譜中代表低阻抗模值顏色的面積增加速度要比常壓環(huán)境下快，證實了靜水壓力的存在加速了涂層的失效，這與EIS的測試結果相一致，而且單頻阻抗數(shù)據(jù)還可以看出靜水壓力的存在對缺陷涂層的失效過程的影