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文檔簡介
1、納米ZnO在光電子器件和微電子器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，而目前納米ZnO陣列粒度分布均勻性、高密度、結(jié)晶性能還達不到納米ZnO陣列器件的要求。為了解決這些問題，本文用磁控濺射在Si(111)襯底上分別制備了ZnO和GZO模板，再用設(shè)備簡單、易操作的濕化學(xué)法合成納米ZnO陣列，最后用場發(fā)射掃描電子顯微鏡研究了納米ZnO陣列的形貌，主要工作如下：
1.用濕化學(xué)法在Si(111)襯底上合成了規(guī)則六角形的納米ZnO，但密度非常低。
2、
2.用磁控濺射在Si(111)上制備ZnO模板，在模板上化學(xué)合成納米ZnO陣列。通過優(yōu)化Ar與02比例、退火溫度、生長溫度、反應(yīng)溶液配比等模板制備和化學(xué)合成條件，合成出了高密度、粒度分布不均勻、C方向比較一致、比較規(guī)則的六角形的納米ZnO陣列。
3.用磁控濺射在Si(111)上制備GZO模板，在模板上化學(xué)合成納米ZnO陣列。通過優(yōu)化Ar與02比例、退火溫度等模板制備和化學(xué)合成條件，合成出了高密度、粒度分布均勻、C方
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