ZnO納米線陣列的制備及H+摻雜的影響.pdf

1、ZnO納米線陣列具有較大的比表面積、優(yōu)異的光學(xué)性能和電子傳輸性能,因此在染料敏化太陽(yáng)能電池等的應(yīng)用中有著很大的潛力。本文研究ZnO納米線陣列的制備工藝和在H+摻雜的作用下,ZnO納米線陣列形貌的變化、其缺陷情況以及光學(xué)性能的變化。
　　本文采用溶膠-凝膠法,以乙二醇甲醚作為溶劑,二水醋酸鋅作為起始原料,乙醇胺作為催化劑,制備了溶膠,通過旋涂法成功的制備了ZnO的種子層,隨后,又在種子層的基礎(chǔ)上,通過水浴加熱法,通過六水硝酸鋅和六次

2、甲基四胺的反應(yīng),成功制備了ZnO納米線陣列。通過H+輻照對(duì)ZnO種子層和ZnO納米線陣列進(jìn)行摻雜改性,在摻雜后的樣品上再次生長(zhǎng)了ZnO納米線陣列,研究了H+輻照摻雜對(duì)ZnO種子層和ZnO納米線陣列形貌、光學(xué)性能以及缺陷情況的影響。
　　結(jié)果表明,ZnO納米線陣列制備合成的最佳工藝參數(shù)為:以0.1mol/L的溶膠制備ZnO種子層,隨后通過0.025mol/L的生長(zhǎng)溶液進(jìn)行水浴生長(zhǎng)出ZnO納米線陣列,用此工藝生長(zhǎng)出的ZnO納米線陣列具

3、有合適的比表面積以及較好的空間取向。
　　H+摻雜后,ZnO種子層和ZnO納米線陣列的光譜透過率均有所降低,而且樣品經(jīng)過H+摻雜,在樣品上生長(zhǎng)ZnO納米線陣列,生長(zhǎng)出的納米線陣列的可見發(fā)光峰的強(qiáng)度也有一個(gè)降低的趨勢(shì)。
　　隨著H+摻雜累積注量(濃度)的增加,在經(jīng)過H+摻雜的樣品上再次生長(zhǎng)的ZnO納米線陣列中的ZnO成分含量會(huì)有一個(gè)降低的趨勢(shì)。
　　隨著H+摻雜累積注量(濃度)的增加,由于H+的熒光猝滅作用,使得ZnO納