單根ZnO、In摻雜ZnO及ZnSxSe1-x納米線(xiàn)的光電性質(zhì).pdf

1、ZnO由于較寬的帶隙(3.37 eV)和室溫下高的激子束縛能(60 meV)，使其具有獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和光電轉(zhuǎn)換等特性，ZnO及其相關(guān)一維納米結(jié)構(gòu)在納米器件的制作中具有十分重要的應(yīng)用，尤其在光電器件領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文利用化學(xué)氣相沉積法制備納米線(xiàn)，采用微柵模板法制作微電極，研究了單根 ZnO、In摻雜 ZnO及ZnSxSe1-x納米線(xiàn)的光電性質(zhì)。單根ZnO及其相關(guān)一維納米結(jié)構(gòu)的電學(xué)性質(zhì)及微電極的研究，將為光電器件的微型化奠定實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

2、r>　　利用化學(xué)氣相沉積法制備了ZnO、In摻雜ZnO及ZnSxSe1-x納米線(xiàn)。采用成本低廉、操作簡(jiǎn)單的微柵模板法制作單根ZnO納米線(xiàn)歐姆接觸的微電極、單根In摻雜ZnO納米線(xiàn)肖特基接觸的微電極。選用325 nm的He-Cd激光器做為光源，進(jìn)一步探究了單根In摻雜ZnO納米線(xiàn)的光響應(yīng)特性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：紫外光輻照可使金屬電極與納米線(xiàn)之間的有效肖特基接觸勢(shì)壘下降，使接觸類(lèi)型由肖特基接觸轉(zhuǎn)變到歐姆接觸；撤去紫外光后，電極與納米線(xiàn)之間的接觸可以

3、恢復(fù)到未光照時(shí)的肖特基接觸。討論了肖特基接觸與歐姆接觸之間轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制。
　　為了進(jìn)一步探究納米材料的光電特性，應(yīng)用微柵模板法制作單根 x=0.28，x=0.46，x=0.66的ZnSxSe1-x納米線(xiàn)的微電極。選用325 nm的He-Cd激光器做為光源，進(jìn)一步探究了x=0.46、x=0.66時(shí)，單根ZnSxSe1-x納米線(xiàn)器件的光響應(yīng)特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，x=0.66的ZnSxSe1-x納米線(xiàn)對(duì)紫外光較為敏感，當(dāng)源漏電壓為1V時(shí)