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文檔簡介
1、本論文在簡要介紹GaSb基化合物半導(dǎo)體激光器及其器件工藝的發(fā)展現(xiàn)狀后，分析討論了目前GaSb基材料的刻蝕工藝存在的問題，并將其分為兩部分分別進(jìn)行研究：第一部分是GaSb基材料的臺面濕法刻蝕工藝條件的研究，第二部分是GaSb的化學(xué)機(jī)械拋光工藝研究。
在第一部分中，本文主要對現(xiàn)有的GaSb基材料的濕法刻蝕工藝進(jìn)行了改進(jìn)。實(shí)驗(yàn)中分別利用鹽酸系和磷酸系腐蝕液對GaSb材料進(jìn)行了臺面刻蝕的研究。實(shí)驗(yàn)分析表明，HCl/H2O2/CH3CO
2、OH和H3PO4/H2O2/C4H6O6這兩種腐蝕液對GaSb材料都有較好的刻蝕效果，均可達(dá)到各向異性、臺面腐蝕形貌良好、腐蝕速率穩(wěn)定可控的濕法刻蝕條件，說明強(qiáng)酸/強(qiáng)氧化劑/弱酸的腐蝕液的組合可以很好地適用于GaSb基材料的刻蝕。其中，通過調(diào)整H3PO4/H2O2/C4H6O6這一體系的組分，最大程度地消除了濕法刻蝕工藝中廣泛存在的下切效應(yīng)以及鉆蝕現(xiàn)象(即燕尾效應(yīng))，其表面粗糙度也明顯降低。
第二部分主要根據(jù)化學(xué)機(jī)械拋光的工作
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