TiO2及鈦鈰核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合氧化物的拋光性能.pdf

1、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)(ULSI)中最佳平坦化技術(shù)。現(xiàn)行硅片拋光采用的研磨劑主要是納米二氧化硅、納米二氧化鈰以及它們的復(fù)合氧化物。隨著集成電路對硅基芯片表面質(zhì)量要求的不斷提高以及稀土拋光粉價格不斷攀升,尋求新的拋光材料就成為化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)發(fā)展的熱點(diǎn)。本研究采用銳鈦型二氧化鈦以及鈦鈰核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合氧化物對硅片以及液晶玻璃和K9玻璃進(jìn)行拋光,研究了拋光工藝條件對拋光性能的影響,探討了拋光性能提高的原因。
　　

2、 采用銳鈦型二氧化鈦對硅晶片進(jìn)行拋光,研究了漿料pH值、固含量、乙醇胺濃度對n(111)型硅晶片拋光性能的影響。結(jié)果表明:適量乙醇胺的加入可使二氧化鈦對硅晶片拋光的材料去除速率提高20～40％。確立了最佳拋光條件為pH值11.5,固含量0.5%,乙醇胺濃度0.035%～0.045%。此時的材料去除速率為113nm/min,拋光后硅晶片表面平整。根據(jù)拋光漿料的紫外光譜和粉體的程序升溫還原圖譜,我們認(rèn)為乙醇胺提高二氧化鈦對硅晶片拋光的材料

3、去除速率的原因是乙醇胺的加入促進(jìn)了二氧化鈦表面強(qiáng)氧化性羥基自由基的生成,加快了硅晶片表面軟質(zhì)層的形成。
　　 采用銳鈦型二氧化鈦粉體對液晶玻璃和K9玻璃進(jìn)行拋光,確立了最佳拋光條件如下:pH值為6.0,固含量為2.5%。與其它拋光粉對比后發(fā)現(xiàn):銳鈦型二氧化鈦粉體對液晶玻璃拋光的材料去除速率較高,對K9玻璃拋光的材料去除速率較低。表明銳鈦型二氧化鈦粉體可以取代其它類型的拋光粉用于對液晶玻璃的拋光。
　　 以銳鈦型二氧化鈦為